特許
J-GLOBAL ID:201103043306002117

炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-088055
公開番号(公開出願番号):特開2011-219287
出願日: 2010年04月06日
公開日(公表日): 2011年11月04日
要約:
【課題】種結晶を用いた昇華再結晶法、すなわち改良レーリー法によって炭化珪素単結晶を成長させて製造する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、ウェハ取りの歩留りに優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造することができる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び該製造方法によりウェハ取り歩留り性に優れ、かつ高品質の炭化珪素単結晶インゴットを提供する。【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、該結晶の成長中に、前記種結晶の結晶成長面に対して直角方向に、発熱部材及び坩堝周囲に配置された断熱部材のうち1つ以上の部材を、該種結晶位置に対して相対的に移動させる制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴットである。【選択図】なし
請求項(抜粋):
種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、該結晶の成長中に、前記種結晶の結晶成長面に対して直角方向に、発熱部材及び坩堝周囲に配置された断熱部材のうち1つ以上の部材を、該種結晶位置に対して相対的に移動させる制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
IPC (1件):
C30B 29/36
FI (1件):
C30B29/36 A
Fターム (11件):
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG18 ,  4G077EG19 ,  4G077EH06 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08
引用特許:
審査官引用 (5件)
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