特許
J-GLOBAL ID:201103043401725630
半導体装置、フォトマスクおよび半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
, 野田 久登
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-160017
公開番号(公開出願番号):特開2001-339049
特許番号:特許第4667559号
出願日: 2000年05月30日
公開日(公表日): 2001年12月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板上に形成された素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、
前記ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第1および第2の重ね合せ検査マークが形成され、
前記第1および第2の重ね合せ検査マークは、第1および第2の重ね合せ検査マークを識別するための補助マークを含む、半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 27/04 T
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/66 Y
, H01L 21/66 J
引用特許:
出願人引用 (3件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-103753
出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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マスクの位置ずれ検出用マーク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-249345
出願人:沖電気工業株式会社
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半導体回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-014525
出願人:富士ゼロックス株式会社
審査官引用 (2件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-103753
出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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マスクの位置ずれ検出用マーク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-249345
出願人:沖電気工業株式会社
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