特許
J-GLOBAL ID:201103043730543047

欠陥検査装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 社本 一夫 ,  田中 英夫 ,  大塚 住江
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-033487
公開番号(公開出願番号):特開2002-236907
特許番号:特許第3905709号
出願日: 2001年02月09日
公開日(公表日): 2002年08月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 矩形又は楕円状の電子ビームを半導体デバイスの試料ウエハ上に照射し、該試料ウエハから放出される2次電子をマイクロ・チャネル・プレート(MCP)で増倍し、蛍光板に衝突させて光に変換し、該光をCCDカメラにより画像データとして検出し、該画像データから、試料ウエハの欠陥を抽出する欠陥検査装置において、 鏡面研磨面を有しかつ異なる2次電子放出係数を有する2つの黒きず検査用ウエハの画像データを得るよう制御する手段と、 得られた2つの画像データの差分を求める手段と、 差分が最小の画素の位置を黒きず位置として格納する記憶手段と、 試料ウエハの画像データ中の黒きず位置の1又は複数の画素の階調を、該画素に隣接する複数の画素の階調を用いて較正する較正手段であって、試料ウエハの画像データの較正すべき画素を、記憶手段に記憶された黒きず位置により特定するよう構成されている較正手段と を備えていることを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (5件):
G06T 1/00 ( 200 6.01) ,  G01N 23/225 ( 200 6.01) ,  G06T 5/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H04N 7/18 ( 200 6.01)
FI (5件):
G06T 1/00 305 A ,  G01N 23/225 ,  G06T 5/00 100 ,  H01L 21/66 J ,  H04N 7/18 B
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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