特許
J-GLOBAL ID：201103043934508780
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260769
特許番号：特許第3519632号
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に選択的にエッチングマスクを形成し、前記絶縁膜を前記エッチングマスクを用いて選択的に除去して溝を形成し、前記エッチングマスクの少なくとも一部を残存させたまま前記溝内にCu配線を形成し、前記エッチングマスクと前記Cu配線上にバリア部材を形成し、前記バリア部材を窒素雰囲気中で熱処理し、前記Cu配線上の前記バリア部材を窒化することにより、前記Cu配線上にCuの拡散及び酸化に対する拡散バリア層を選択的に形成すると共に、前記エッチングマスクと前記エッチングマスク上の前記バリア部材とを反応させて合金層を形成し、前記窒化の後に、前記合金層を選択的に除去し、前記拡散バリア層を前記Cu配線上に選択的に残存させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
H01L 21/28 K
, H01L 21/88 M
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 R
