特許

J-GLOBAL ID：201103044081894354

半導体装置の製造方法

発明者： 新城 嘉昭 ,  下別府 祐三 ,  手代木 和雄 ,  吉本 和浩 ,  吉田 英治 ,  早坂 昇 ,  渡部 光久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322812
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133260
特許番号：特許第3789802号
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の背面をバックグラインドするバックグラインド工程と、 該バックグラインド工程が終了した後に、前記半導体基板を所定のダイシングラインに沿ってダイシングして個々の半導体素子に個片化するダイシング工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記バックグラインド工程と前記ダイシング工程との間に、 前記ダイシングラインの延在方向に対して45度の角度を有する方向に研磨痕を形成する研磨痕形成工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  B23K 26/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B23K 101/40 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/78 Q ,  B23K 26/00 G ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 631 ,  B23K 101:40

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251769   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014771   出願人：シャープ株式会社
• レーザを利用した半導体チップ抗折強度の向上法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324359   出願人：シャープタカヤ電子工業株式会社
• 特開昭62-286707
  
• 半導体処理方法および処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-234162   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251769   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014771   出願人：シャープ株式会社
• レーザを利用した半導体チップ抗折強度の向上法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324359   出願人：シャープタカヤ電子工業株式会社