特許
J-GLOBAL ID：201103044211122391

半導体構成部品

発明者：
ヘルフルト, ミヒャエル

ヘルフルト, ミヒャエル について

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ルップ, ローランド

ルップ, ローランド について

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ツフェレフ, イリア

ツフェレフ, イリア について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-582840
特許番号：特許第3947669号
出願日： 2001年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】共通のハウジングと、 該共通のハウジングにおいて、互いに空間的に分離して配置されており、かつ、互いに電気的に接続されている少なくとも2つの半導体ボディであって、該少なくとも2つの半導体ボディは、第1の半導体ボディと第2の半導体ボディとを含み、該第1の半導体ボディは、電圧および電力のうちの少なくとも1つに対する補償MOS電界効果トランジスタであり、該第2の半導体ボディは、炭化ケイ素ショットキーダイオードである、少なくとも2つの半導体ボディと、 ベースプレートであって、該第1の半導体ボディが該ベースプレートに固定されている、ベースプレートと、 該ベースプレートに配置されている隆起物であって、該第2の半導体ボディが該隆起物に固定されている、隆起物と を含み、 該補償MOS電界効果トランジスタおよび該炭化ケイ素ショットキーダイオードのそれぞれは、該ベースプレートおよび該隆起物を介して互いに電気的に結合された端子を含む、半導体構成部品。
IPC (2件)：
H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 25/04 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 25/04 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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