分岐コンデンサを有するSOI型集積回路とこのような回路の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-555298
特許番号：特許第4417559号
出願日： 1999年06月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備えた集積回路の製造方法であって、 a)第1の導電層(110)を備えた基板(100)上に、表面から順に第1の絶縁層(112)と第2の導電層(114)とを形成する段階と、 b)前記第1の絶縁層によって第1の導電層から分離した第2の導電層の少なくとも一部を残すように第2の導電層(114)を形成する段階と、 c)前記第2の導電層の一部を囲繞する第2の絶縁層(116)を形成する段階と、 d)第2の絶縁層(116)上に半導体材料の層(206)を形成する段階と、 e)前記半導体材料の層の少なくとも一部に少なくとも一つの活性領域(302,304,306,308)を含む少なくとも一つの能動素子を形成し、半導体材料の層のそれらの能動素子の間を酸化する段階と、 f)前記半導体材料の層上に第3の絶縁層(320)を形成する段階と、 g)前記能動素子を外して、第1及び第2の導電層に達するように、第3の絶縁層と半導体材料の層(206)と絶縁材料層(116)とに貫入した開口を形成する段階と、 h)開口に導電性材料を充填し、第1及び第2の導電層をそれぞれ第1及び第2の電力供給端子に接続する電気的内部接続を形成する段階と、を順に備えた電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備え、段階d)がさらに、シリコン酸化物の表面層(202)を有するシリコンウェハ(200)を基板上に移す段階を備え、ここで、そのシリコン酸化物層は第2の絶縁層から分離され、そのシリコンウェハは劈開されて基板表面上に半導体材料の層(206)を残すものである集積回路の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 21/762 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01) , H01L 27/12 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/76 D , H01L 29/78 613 Z , H01L 27/12 C , H01L 27/12 K

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077419 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-104881 出願人：日本電気株式会社
埋込み絶縁層を有する接着ウェハ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111533 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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審査官引用 (6件)

特開平3-222361
特開平3-222361
特開平3-222361

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