特許

J-GLOBAL ID：201103044870870745

グラフェンフィルム製造方法

発明者： 徐 明生 ,  藤田 大介
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-199126
公開番号（公開出願番号）：特開2011-051801
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】サイズが大きく一様でまた転写が容易なグラフェンフィルムを提供する。【解決手段】HOPG基板100の表面にNiなどの触媒層101をデポジットする。このような触媒層付きHOPG基板を所定時間高温に維持し、その後冷却することで、HOPG基板から供給される炭素により触媒層の上に形成された、高品質でサイズの大きなグラフェンフィルム102が得られる。エッチングなどで触媒層を除去することにより、グラフェンフィルム101をHOPG基板から分離することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の(a)から(d)のステップを設けたグラフェンフィルム製造方法。 (a) HOPG基板を準備する。 (b) 前記HOPG基板上に触媒層を設ける。 (c) 前記触媒層が設けられた前記HOPG基板を所定時間加熱する。 (d) 前記HOPG基板を冷却する。

IPC (1件)：

C01B 31/04

FI (1件)：

C01B31/04 101Z

Fターム (16件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD21 ,  4G146BA02 ,  4G146BA41 ,  4G146BB06 ,  4G146BB15 ,  4G146BB22 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CB35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-555294   出願人：アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド
• 自己再生型カーボンナノチューブ・グラファイト混合膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-120459   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• C-固溶Ni(111)表面上での外部炭素ソースを用いないカーボンナノワイヤの創製 Fabrication of Car