2波長半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252593
特許番号：特許第3685306号
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくともn型半導体層、活性層、p型半導体層の順に積層された多層構造体と、p側電極及びn側電極と、を有するリッジ型構造を有する第1及び第2レーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第1レーザ部のp側電極及びn側電極がそれぞれ前記第2レーザ部のn側電極及びp側電極と接続層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：