薄膜製造装置および製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255055
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077029
特許番号：特許第3327391号
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シラン系ガスを用いて非単結晶シリコン膜または非単結晶シリコン化合物を成膜するプラズマCVD装置であって、放電が行われる真空容器と、第一の原料ガスをシャワー状に前記真空容器内に供給する、高周波電力が供給されて第一のプラズマ源となる第一の平板電極と、前記真空容器内に前記第一の平板電極と平行に対向配置され、基板を保持する機構を有する第二の平板電極と、前記第一、第二の平板電極の間にあって、前記第二の平板電極の表面近傍に第二の原料ガスを供給するガス供給機構と、を有し、前記第一の平板電極と前記ガス供給機構との間、および、前記ガス供給機構と前記第二の平板電極との間にプラズマが生成されることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (1件)：