特許
J-GLOBAL ID:201103047106580111
磁気多重層センサ
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
伊東 忠彦
, 佐藤 一雄
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-548745
特許番号:特許第4316806号
出願日: 1999年04月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 自由強磁性層および固定強磁性層を支える基板を有し、前記固定強磁性層がAAF(人工反強磁性)層システムおよびIrMn型物質の交換バイアシング層を有し、前記交換バイアシング層が、前記AAF層システムと隣接および接触している磁気多重層センサ。
IPC (2件):
G01R 33/09 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
FI (2件):
G01R 33/06 R
, H01L 43/08 Z
引用特許:
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