特許

J-GLOBAL ID：201103047361173767

高耐圧半導体装置およびその製造方法

発明者： 堀 貴彦 ,  滝沢 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349283
特許番号：特許第3444815号
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に形成された半導体素子の上に、SiとNの原子数の比(Si/N)が0.7より小さく、かつ2.5×1022atoms/cm3以上の水素を含有するシリコンナイドライド膜を保護膜として形成した高耐圧半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352246   出願人：株式会社リコー
• プラズマシリコン窒化膜をもつ半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-334172   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163013   出願人：川崎製鉄株式会社