特許
J-GLOBAL ID：201103047395654160

エッチング方法

発明者：
一木 克則

一木 克則 について

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山内 和雄

山内 和雄 について

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檜山 浩国

檜山 浩国 について

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寒川 誠二

寒川 誠二 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (10件)： 廣澤 哲也 ,  渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353809
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158099
特許番号：特許第4073204号
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空チャンバ内にガスを供給するガス供給源と、 被処理物を保持する保持部と、 前記真空チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、 前記被処理物と前記プラズマ生成部との間に配置され、オリフィスを有する第1の電極と、 前記真空チャンバ内に前記第1の電極に対して上流側に配置された第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加することで、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマからイオンを加速して前記第1の電極に形成された前記オリフィスを通過させる電圧印加部とを備えたエッチング装置を用いるエッチング方法であって、 有機物から構成されたマスクにより局所的に覆われた被処理層を有する被処理物を前記保持部に保持させ、 前記ガスから生成されたプラズマから負イオンを加速して前記オリフィスを通過させることで該負イオンを中性化して、コリメートされた第1の中性粒子ビームを生成し、該第1の中性粒子ビームを前記被処理物に照射して前記被処理層の表面をエッチングする第1の工程と、 前記ガスから生成されたプラズマからイオンを加速して前記オリフィスを通過させることで該イオンを中性化して、コリメートされた第2の中性粒子ビームを生成し、該第2の中性粒子ビームによって前記マスクをスパッタすることで前記被処理層の側壁に保護膜を形成する第2の工程とを有し、 前記第1の中性粒子ビームは10eV以上50eV以下のエネルギーを有し、 前記第2の中性粒子ビームは50eV以上200eV以下のエネルギーを有することを特徴とするエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/302 101 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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