特許
J-GLOBAL ID:201103047817842283
ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-044434
公開番号(公開出願番号):特開2011-181684
出願日: 2010年03月01日
公開日(公表日): 2011年09月15日
要約:
【課題】 ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、前記ボンディングワイヤーの変形や切断を防止して、他の半導体素子の搭載を可能にし、これにより半導体装置の製造歩留まりの向上が図れるダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】 本発明のダイボンドフィルムは、ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、圧着の際に前記ボンディングワイヤーの一部を埋没させて内部に通過させることを可能にする第一接着剤層と、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とが少なくとも積層されたものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、
圧着の際に前記ボンディングワイヤーの一部を埋没させて内部に通過させることを可能にする第一接着剤層と、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とが少なくとも積層されたものであるダイボンドフィルム。
IPC (5件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/301
, H01L 21/52
FI (3件):
H01L25/08 Z
, H01L21/78 M
, H01L21/52 E
Fターム (5件):
5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA36
, 5F047BB03
, 5F047BB19
引用特許:
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