特許
J-GLOBAL ID：201103048132104618

不揮発性強誘電体メモリ装置並びにそれによる駆動方法

発明者：
姜 煕 福

姜 煕 福 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014307
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229668
特許番号：特許第4460783号
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のメインセルと少なくとも一つの参照セルから構成される複数のサブセルアレイを有し、各メインセルがビットライン、ワードライン及びプレートラインに接続されており、特定のサブセルアレイの参照セルはそのサブセルアレイと隣り合っているサブセルアレイのメインセルと共に動作するよう構成されている不揮発性強誘電体メモリ装置において、 前記参照セルが ゲートが参照ワードラインに連結され、ドレインはビットラインに連結される第1トランジスタと、 ゲートには参照ビットライン等化器信号が印加され、ドレインは前記第1トランジスタのソースに連結され、ソースは接地電圧端に連結される第2トランジスタと、 第1端子と第2端子を備え、それらの端子間に形成された強誘電体層を備えた強誘電体キャパシタが複数並列に連結され、その第1端子が必要に応じた所定の数だけ共通に前記第1トランジスタのソースに接続され、第2端子が共通に参照プレートラインに連結される強誘電体キャパシタと を有し、 アクティブ期間の終了後、前記プレートラインがハイレベルへ遷移されずに、前記ワードラインのみが一旦ハイレベルへ遷移されてローレベルへ戻された後に、前記参照ビットライン等化器信号をハイレベルにして前記第2トランジスタのゲートに印加することにより前記第2トランジスタを動作させ、前記強誘電体キャパシタを接地電圧レベルに初期化することを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/22 ( 200 6.01) ,  G11C 14/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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