半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-051065
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216871
出願日： 2011年03月09日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、シリコンカーバイド膜は配線側に形成される。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される微結晶シリコン膜と、前記微結晶シリコン膜上に形成されるシリコンカーバイド膜と、前記シリコンカーバイド膜上に形成される一対の不純物半導体膜と、前記不純物半導体膜に接する配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L21/205

Fターム (80件)：

5F045AA08 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE21 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA15 , 5F045EH13 , 5F045GB11 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG39 , 5F110GG45 , 5F110GG48 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (6件)

高エネルギーギャップオフセット層構造を有するTFT素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-289490 出願人：勝華科技股ふん有限公司, 國立交通大學
薄膜半導体部品の側面をパッシベーション処理する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-528040 出願人：トムソン-エルセデ
逆スタガ型薄膜トランジスタおよびその製造方法と、それを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295801 出願人：シャープ株式会社

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