薄膜トランジスタ及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-102520
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283928
出願日： 2009年04月21日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】TFTに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の膜質を制御する。また、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の堆積過程を制御して、TFTに代表される半導体素子の特性向上を図る。また、薄膜トランジスタのオン電流を向上させ、オフ電流を低減する。【解決手段】非晶質構造の中に複数の結晶領域を含む半導体層において、該結晶領域が生成する起点となる結晶核の生成位置と生成密度を制御することで、該半導体層の膜質を制御する。また、半導体層の結晶領域が生成する起点となる結晶核を生成した後、ドナーとなる不純物元素を半導体層に添加して、半導体層の結晶性を高めると共に、半導体層の抵抗率を低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接し、非晶質構造の中に複数の結晶領域を含みチャネル形成領域を構成する半導体層と、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型不純物半導体層と、前記半導体層と前記一導電型不純物半導体層との間の非晶質半導体により構成されるバッファ層とを有し、前記結晶領域は、前記ゲート絶縁層と前記半導体層との界面から離れた位置から前記半導体層が堆積される方向に向けて、略放射状に成長した逆錐形であり、前記半導体層はドナーとなる不純物元素を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 618F , H01L29/78 618G , H01L29/78 618A , H01L29/78 617T , G02F1/1368

Fターム (97件)：

2H092GA29 , 2H092GA50 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA42 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB69 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB11 , 2H092KB13 , 2H092KB15 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (13件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193720 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-275178 出願人：株式会社東芝
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-165782 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る