特許
J-GLOBAL ID：201103048322185363

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
阿部 秀司

阿部 秀司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信 ,  松隈 秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370371
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185711
特許番号：特許第4419238号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板に形成された高抵抗半導体領域と、 前記高抵抗半導体領域の表面側に形成された、受光センサ部の電荷蓄積領域となる第1の第1導電型半導体領域と、 前記高抵抗半導体領域内に在って、前記第1の第1導電型半導体領域の下方に前記第1の第1導電型半導体領域から離れ且つ該第1の第1導電型半導体領域より広い面積で形成された、電荷収集領域を広げるための第2の第1導電型半導体領域と、 を有し、 前記第2の第1導電型半導体領域から前記第1の第1導電型半導体領域に向かってポテンシャルプロファイルが緩やかに上昇するような濃度設定になるように、前記第2の第1導電型半導体領域の不純物濃度が、前記第1の第1導電型半導体領域の不純物濃度より低く設定されている ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/148 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H04N 5/335 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (9件)
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