半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333457
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142499
特許番号：特許第3682920号
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メサ層が形成された半導体基板上に、前記メサ層上よりも厚い厚膜部を前記メサ層の外側周縁部に有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に対してゲート電極パターンを露光する第1露光工程と、前記ゲート電極パターンの先端部と重なるように前記厚膜部に開設され、底面に前記レジスト層の下地表面を露出する開口を画定する支持開口パターンを前記レジスト層に対して露光する第2露光工程と、前記レジスト層を現像して形成された前記ゲート電極パターンおよび前記支持開口パターンを有するレジストパターンを用い、ゲート電極材料をリフトオフしてゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：