特許
J-GLOBAL ID：201103048512413028

電力半導体装置およびその製造方法

発明者：
杉浦 正典

杉浦 正典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-067665
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204716
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】本発明は、コレクタ電極に含まれるアルミニウムがコレクタ層へ拡散することを防止でき、かつ安定した電気特性を有する電力半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の表面に形成されたエミッタおよびゲートと、該基板の裏面に形成されたコレクタ層と、該コレクタ層の該基板と接する面と反対の面に形成された酸化膜と、該酸化膜の該コレクタ層と接する面と反対の面に形成された、アルミニウムを含むコレクタ電極と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成されたエミッタおよびゲートと、 前記基板の裏面に形成されたコレクタ層と、 前記コレクタ層の前記基板と接する面と反対の面に形成された酸化膜と、 前記酸化膜の前記コレクタ層と接する面と反対の面に形成された、アルミニウムを含むコレクタ電極と、を備えたことを特徴とする電力半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/265
FI (7件)：
H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/44 L ,  H01L21/28 A ,  H01L21/265 602C
Fターム (10件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB03 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104FF02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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