特許

J-GLOBAL ID：200903075136193444

半導体素子の製造方法

発明者： 風間 健一 ,  中嶋 経宏 ,  佐々木 弘次 ,  清水 明夫 ,  林 崇 ,  脇本 博樹
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-169083
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036211
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】アルミニウムシリコン電極のシリコン濃度および厚さを最適化することにより、素子の裏面に電極を有する90〜200μmの厚さの半導体素子を高い良品率で製造すること。【解決手段】シリコン基板の第1の主面側に素子の表面構造を形成し、第2の主面を研削加工して基板を薄くした後、第2の主面側にバッファ層10およびコレクタ層8を形成する。その後、コレクタ層8の表面に、厚さが0.3μm以上1.0μm以下で、シリコン濃度が0.5wt%以上2wt%以下、好ましくは1wt%以下のアルミニウムシリコン膜を第1層目とするコレクタ電極9を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板の第1の主面側に素子の表面構造を有し、かつ前記シリコン基板の第2の主面側に裏面電極を有する半導体素子を製造するにあたって、 前記裏面電極としてアルミニウムシリコン膜を前記第2の主面に接して形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (5件)：

H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 L

Fターム (10件)：

4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 可変容量ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-151015   出願人：ローム株式会社

審査官引用 (7件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100147   出願人：株式会社東芝
• 縦型MOS電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-311769   出願人：新電元工業株式会社
• 半導体装置及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-316462   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-277931   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184757   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-042960   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-161931   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社アルバック