特許
J-GLOBAL ID：200903053917011992

金属ゲート電極およびシリサイド接点を備えたFETゲート構造

発明者：
ヴィクター・クー

ヴィクター・クー について

, 
アン・ステーヘン

アン・ステーヘン について

, 
シン=ジェン・シー・ワン

シン=ジェン・シー・ワン について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001988
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197748
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】半導体デバイス用の1金属置換ゲートまたは2金属置換ゲートを作製する方法を提供すること。【解決手段】この構造は、ゲート領域とのシリサイド接点を含む。ダミー・ゲート構造および犠牲ゲート誘電体を除去して、基板の一部分を露出させ、その上にゲート誘電体を形成する。ゲート誘電体および誘電体材料を覆うように金属層を形成する。この金属層は、それが好都合なら、デバイス・ウェハを覆うブランケット金属層にすることもできる。次いで、金属層を覆うようにシリコン層を形成する。この層も、ブランケット層にすることができる。次いで、平坦化またはエッチバック・プロセスを行い、誘電体材料の上面を露出させ、金属層およびシリコン層の他の部分がゲート領域内に残って誘電体材料の上面と同一平面となる表面を有するようにする。次いで、ゲート領域の金属層と接触したシリサイド接点を形成する。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
上面を有する誘電体材料と隣接したゲート構造を基板上に有する半導体デバイスを作製する方法であって、 前記デバイスのゲート領域の材料を除去して前記基板の一部分を露出させるステップと、 前記基板の露出部分上にゲート誘電体を形成するステップと、 前記ゲート誘電体および前記誘電体材料を覆う金属層を形成するステップと、 前記金属層を覆うシリコン層を形成するステップと、 前記金属層の第1の部分および前記シリコン層の第1の部分を除去して、前記誘電体材料の上面を露出させ、前記金属層の第2の部分および前記シリコン層の第2の部分が前記ゲート領域内に残って前記上面と同一平面となる表面を有するようにするステップと、 前記金属層の第2の部分と接触したシリサイド接点を前記ゲート領域中に形成するステップとを含む方法。
IPC (7件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301P ,  H01L27/08 321D
Fターム (44件)：
4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F048AC03 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF40 ,  5F140BF42 ,  5F140BG04 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM