半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本孝久 , 吉井正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-161030
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124427
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。【解決手段】NMISFET及びPMISFETを含む半導体装置であって、各ゲート電極32A,32Bは、層間絶縁層の下層部28Aに設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、NMISFETのゲート電極32Aの少なくとも底面部と側面部は第1の導電材料33Aから構成されており、PMISFETのゲート電極32Bの少なくとも底面部と側面部は第1の導電材料とは異なる第2の導電材料33Bから構成されており、各ゲート電極32A,32Bの頂面上には、導電性を有する保護層35A,35Bが形成されており、各ゲート電極用コンタクトプラグ44A,44Bは、保護層35A,35Bを介して、各ゲート電極32A,32Bの頂面に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、 (a)第1の絶縁層、及び、第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層、並びに、 (b)第2の絶縁層を貫通し、Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極に接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、並びに、第1の絶縁層と第2の絶縁層とを貫通し、各ソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、を更に備えており、 (1)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極は、第1の絶縁層に設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、 (2)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極における底面部、側面部、及び、底面部と側面部とによって囲まれた中央部の内、少なくとも底面部及び側面部は、第1の導電材料から構成されており、 (3)Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極における底面部、側面部、及び、底面部と側面部とによって囲まれた中央部の内、少なくとも底面部及び側面部は、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成されており、 (4)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面上には、導電性を有する保護層が形成されており、 (5)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極用コンタクトプラグは、保護層を介して、Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に接続されており、Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極用コンタクトプラグは、保護層を介して、Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/320 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/88 B , H01L27/08 321F , H01L29/78 301G , H01L29/78 301P

Fターム (173件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD72 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH26 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033JJ04 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK15 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033KK36 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ24 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV06 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BF03 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA27 , 5F140AB03 , 5F140AB07 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF34 , 5F140BF42 , 5F140BF51 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG05 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BH15 , 5F140BJ27 , 5F140BK01 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA04 , 5F140CB04 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-324081 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法及び半導体装置。
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-167361 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-298553 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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