プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

発明者： , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181132
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270018
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】チャンバー10に互いに対向して配置される上部電極34およびウエハ支持用の下部電極16を有し、下部電極16に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加する第1の高周波電源89および相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、上部電極34に可変直流電源50を接続し、チャンバー10内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、処理容器内に対向して配置される第1電極および被処理基板を支持する第2電極と、前記第2電極に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加する第1の高周波電力印加ユニットと、前記第2電極に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加する第2の高周波電力印加ユニットと、前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットとを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101B

Fターム (20件)：

5F004AA05 , 5F004BA09 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004CA06 , 5F004CB01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA03 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ処理装置およびエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-342764 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社日立製作所

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-273267 出願人：大見忠弘
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-346196 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-077749 出願人：東京エレクトロン株式会社

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