特許
J-GLOBAL ID：201103049093657210
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164620
特許番号：特許第3763737号
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成されたIII-V族窒化物系半導体からなる発光層と、この発光層の上下のうち少なくとも一方の側に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが交互に繰り返して積層されてなるIII-V族窒化物系半導体からなる反射層と、前記発光層に対して電流を供給する電極とを備え、前記反射層の低屈折率層と高屈折率層のそれぞれは、組成の異なるIII-V族窒化物系半導体層が交互に繰り返して積層されてなり、前記反射層の低屈折率層と高屈折率層のそれぞれを構成する前記組成の異なるIII-V族窒化物系半導体層のうち、少なくともバンドギャップが最大となる層と当該層に隣接して形成され当該層よりバンドギャップが小さい層との界面に含まれる一導電型不純物の濃度は、前記界面以外の前記III-V族窒化物系半導体層の部分の前記一導電型不純物の濃度よりも高いことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01S 5/183
, H01S 5/323 610
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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