窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046038
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなる面発光レーザの新規な構造とその製造方法を提供することにより、レーザ素子の低閾値化、単一モード化を実現する。【構成】第1の主面と、第2の主面とを有する基板の第1の主面側に、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とを順に有し、前記基板の第2の主面側に孔が設けられて、その孔の底部に第1の反射鏡が設けられており、一方p型窒化物半導体の最表面には第2の反射鏡が設けられており、第1の反射鏡と第2の反射鏡とで活性層の発光を共振させて発振させることにより、低閾値の面発光レーザが実現できる。

請求項（抜粋）：

第1の主面と、第2の主面とを有する基板の第1の主面側に、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とを順に有し、前記基板の第2の主面側に孔が設けられて、その孔の底部に第1の反射鏡が設けられており、一方p型窒化物半導体の最表面には第2の反射鏡が設けられており、第1の反射鏡と第2の反射鏡とで活性層の発光を共振させて発振する窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354571 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082869 出願人：株式会社日立製作所
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238553 出願人：三菱電線工業株式会社

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