特許
J-GLOBAL ID：200903064956325050
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174974
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012974
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 再現性および信頼性に優れていること。【解決手段】 被酸化層20xの一部若しくは全部を酸化して得られる酸化領域29を具えた化合物半導体装置を製造するに当たり、被酸化層を、酸化速度の速い組成からなる第1層と、この第1層よりも酸化速度の遅い組成からなる第2層との超格子層20として形成する積層工程と、被酸化層に対して酸化処理を行って被酸化層の一部若しくは全部を酸化領域にする酸化工程とを含む。
請求項（抜粋）：
少なくとも被酸化層の一部若しくは全部を酸化して得られる酸化領域を具えた化合物半導体装置を製造するにあたり、前記被酸化層を、酸化速度の速い組成からなる第1層と、該第1層よりも酸化速度の遅い組成からなる第2層との超格子層として形成する積層工程と、該被酸化層に対して酸化処理を行って、前記被酸化層の一部若しくは全部を前記酸化領域にする酸化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/316 S
5F058BA06
, 5F058BB01
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BJ03
, 5F058BJ04
, 5F073AA07
, 5F073AA65
, 5F073AA71
, 5F073AA72
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073DA27
