特許
J-GLOBAL ID:201103049678889752
表面処理装置及び表面処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-199720
公開番号(公開出願番号):特開2002-012977
特許番号:特許第3416622号
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 内部に基板がセットされる,排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器内に前記基板と対向して配置された電極と、第1の超高周波電源及び該超高周波電源と独立した第2の超高周波電源とを有し、前記電極に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器に配置される基板の表面を処理する表面処理装置であり、前記電極は方形の形状を有し、前記電極の一つの側面である第1の側面に、等ピッチ間隔に前記第1の超高周波電源の出力回路に接続された複数の第1の電力供給端が1つずつ取り付けられ、かつ、前記第1の側面に対向する他方の側面である第2の側面に、等ピッチ間隔に前記第1の超高周波電源の出力の周波数とほぼ同じ周波数の超高周波電力を発生し、前記第2の超高周波電源の出力回路に接続された複数の第2の電力供給端が1つずつ取り付けられていることを特徴とする表面処理装置。
IPC (8件):
C23C 16/509
, C23C 16/42
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (8件):
C23C 16/509
, C23C 16/42
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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シリコン膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-194766
出願人:日新電機株式会社
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プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-139515
出願人:島田理化工業株式会社
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-094598
出願人:三菱重工業株式会社
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審査官引用 (4件)