特許
J-GLOBAL ID:201103049880901810
炭素膜の形成方法および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
山田 勝重
, 山田 智重
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-060666
公開番号(公開出願番号):特開2011-214150
出願日: 2011年03月18日
公開日(公表日): 2011年10月27日
要約:
【課題】低温度の環境下で被加工材の表面に、良好かつ高品位な炭素膜を形成することを目的とする。【解決手段】所定の真空度に減圧可能とされる真空チャンバ1内に、被加工材4を保持し、基板電圧印加手段3により所定の電圧に印加される基板2と、上記基板2に対向配置される炭素原料基板5上で、真空チャンバ1内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源7より炭素原料基板5に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、炭素原料基板5から上記基板2に保持される被加工材4に向けて炭素原料とともに放電するプラズマ発生源を備える。これにより被加工材4の表面に放電されるプラズマにより炭素膜を加工形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
所定の真空度に減圧可能とされる真空チャンバ内に、
被加工材を保持し、基板電圧印加手段により所定の電圧に印加される基板と、
上記基板に対向配置される炭素原料基板上で、真空チャンバ内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源より炭素原料基板に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、炭素原料基板から上記基板に保持される被加工材に向けて炭素原料とともに放電するプラズマ発生源と、
を備え、被加工材の表面に炭素膜を加工形成する炭素膜の形成方法であって、上記基板電圧印加手段により基板に印加される電圧を0〜300Vの範囲に
設定し、
上記パルス電源より炭素原料基板に出力される調整電力を、79.6KW/m2〜3,184KW/m2の範囲に、調整電力におけるパルス電圧の印加時間を1nsec〜60μsecの範囲に設定したことを特徴とする炭素膜の形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C14/06 F
, C23C14/34 R
Fターム (15件):
4K029AA02
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA10
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BD03
, 4K029CA05
, 4K029CA06
, 4K029CA13
, 4K029DC02
, 4K029DC34
, 4K029EA09
, 4K029FA05
引用特許:
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