アモルファスシリコン膜の成膜方法および成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-044014
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249764
出願日： 2011年03月01日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。【解決手段】下地2を加熱し、加熱した下地2にアミノシラン系ガスを流し、下地2の表面にシード層3を形成する工程と、下地2を加熱し、加熱した下地2の表面のシード層3にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層3上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下地上にアモルファスシリコン膜を含む膜を成膜する成膜方法であって、 (1) 前記下地を加熱し、前記加熱した下地にアミノシラン系ガスを流し、前記下地表面にシード層を形成する工程と、 (2) 前記下地を加熱し、前記加熱した下地表面のシード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、前記シード層上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするアモルファスシリコン膜の成膜方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (9件)：

H01L21/205 , C23C16/24 , H01L29/78 616K , H01L29/78 618A , H01L21/88 B , H01L21/88 P , H01L21/28 301A , H01L21/285 301 , H01L21/285 C

Fターム (65件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104DD06 , 4M104DD28 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD49 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F033HH05 , 5F033JJ01 , 5F033JJ05 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033NN06 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP33 , 5F033WW02 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F033XX35 , 5F045AA04 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045BB01 , 5F045DA67 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE18 , 5F045EK27 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HL08 , 5F110HL24 , 5F110HL26 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-085439 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置の製造方法及び基板処理方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-038599 出願人：株式会社日立国際電気
光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-518299 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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