特許
J-GLOBAL ID：201103049943597424
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135605
特許番号：特許第3439402号
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に溝を形成し、該溝が形成された基板上に導電層を成膜し、該導電層のうち前記溝以外に形成された導電層を研磨により削除することにより前記溝内に配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を、砥粒を含む硬質な第1のパッドに密着させ、前記第1のパッド上に、有機酸を含み、かつ砥粒を含まない第1の溶液を供給しながら前記第1のパッドを回転させて前記基板の表面を研磨する1次研磨工程と、前記基板を、砥粒を含まない軟質な第2のパッドに密着させ、前記第2のパッド上に砥粒を含む第2の溶液を供給しながら前記第2のパッドを回転させて前記基板の表面を研磨する2次研磨工程とを順次行うことにより、前記溝内に配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, H01L 21/3205
H01L 21/304 622 R
, H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 C
, B24B 37/00 H
, B24B 37/00 Z
, H01L 21/88 K
