半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹本松司 (外5名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110778
特許番号：特許第3295398号
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】工程反応炉中に設けられウエハー支持面を具えた受け台、ウエハークランプとされ、クランプリング、凹面ホルダ、斜面及び凹部を具え、該斜面が半導体ウエハーを支持するのに用いられ、該凹面ホルダが半楕円表面を具え、該凹部の位置が該凹面ホルダより高く並びに該半楕円表面の近隣とされた、上記ウエハークランプ、下電極とされ、該受け台の上に位置し並びに半導体ウエハーの下方に位置し、ガスホールを高圧ガスが通過することにより発生した高真空圧力により、該半導体ウエハーが一つのウエハークランプに緊密に挟持されて該半導体ウエハーが固定される、上記下電極、該ウエハークランプの上に位置する石英リング、該石英リングの近隣に位置する上電極構造、以上を具備したことを特徴とする、半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/68 N , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277512 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-309902 出願人：新日本無線株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-261353 出願人：東京エレクトロン株式会社

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