特許
J-GLOBAL ID：201103050449041691
半導体リレーシステムの過電流遮断検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 保
, 大塚 明博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-095138
特許番号：特許第3678953号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 熱遮断回路内蔵型MOSFETを用い、マイクロコンピュータでチャージポンプ回路によって電源電圧を昇圧したチャージポンプ出力電圧を駆動回路を介して該熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートに印加することによりオン・オフ制御して負荷に電源を供給する半導体リレーシステムにおいて, 前記熱遮断回路内蔵型MOSFETと車載バッテリとの間に直列にシャント抵抗を接続し、該シャント抵抗の両端に増幅器の入力端子を接続し、該増幅器の出力端子から該シャント抵抗の両端電圧に応じた電圧を前記マイクロコンピュータに出力して前記熱遮断回路内蔵型MOSFETに供給される電流を検出する電流検出手段と, 前記マイクロコンピュータに外付けのスイッチからオン操作信号が入力されると、該マイクロコンピュータから駆動指示信号が入力され、前記駆動回路に対して前記熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートに所定電圧を印加する指令を出力するゲート・ロジック回路と, 前記シャント抵抗の両端にコンパレータの入力端子を接続し、該コンパレータの出力端子から該シャント抵抗に流れる電流値が予め設定してある電流値に達したときに前記ゲート・ロジック回路を作動して前記駆動回路を制御して前記熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートに印加する電圧をカットオフして前記負荷に電源の供給を停止する過電流制御手段と, 前記負荷に並列に抵抗を接続し前記熱遮断回路内蔵型MOSFETのソース側に発生するソース電圧を検出するソース電圧検出手段と, 前記熱遮断回路内蔵型MOSFETをオンする指令信号が前記マイクロコンピュータから前記ゲート・ロジック回路に出力されているときに、前記ソース電圧検出手段によって検出された電圧値がほぼ0電位にまで低下していることを検出することによって前記熱遮断回路内蔵型MOSFETが内蔵する自己熱遮断回路を機能させてオフしたものと判定する自己熱遮断判定手段とを備えてなる半導体リレーシステムの過電流遮断検出装置。
IPC (4件)：
H02H 3/087
, H02H 5/04
, H02H 7/20
, B60R 16/02
H02H 3/087
, H02H 5/04 E
, H02H 7/20 D
, H02H 7/20 F
, B60R 16/02 650 R
, B60R 16/02 650 S
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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