特許
J-GLOBAL ID:201103051020628917
カーボンナノチューブ薄膜形成装置及び形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
清水 善廣
, 阿部 伸一
, 辻田 幸史
, 田代 作男
, 町田 悦夫
, 打揚 洋次
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-242086
公開番号(公開出願番号):特開2001-064775
特許番号:特許第4357661号
出願日: 1999年08月27日
公開日(公表日): 2001年03月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 真空成膜室と、該成膜室内に炭素含有ガスを供給するためのガス供給系と、該成膜室内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生系と、バイアス電源とを有する、マイクロ波電力供給可能な薄膜形成装置であって、該マイクロ波発生系によるマイクロ波の発振出力が時間的に変調された半波整流であることを特徴とするカーボンナノチューブ薄膜形成装置。
IPC (2件):
C23C 16/26 ( 200 6.01)
, C01B 31/02 ( 200 6.01)
FI (2件):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
引用特許:
出願人引用 (3件)
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カーボンナノチューブの製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-161292
出願人:キヤノン株式会社
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ラジカルの制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-205690
出願人:名古屋大学長
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プラズマ処理装置および方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-087615
出願人:東京エレクトロン株式会社, 後藤俊夫, 東京エレクトロン山梨株式会社
審査官引用 (3件)
-
カーボンナノチューブの製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-161292
出願人:キヤノン株式会社
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ラジカルの制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-205690
出願人:名古屋大学長
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プラズマ処理装置および方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-087615
出願人:東京エレクトロン株式会社, 後藤俊夫, 東京エレクトロン山梨株式会社
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