特許
J-GLOBAL ID：201103051103762909
強誘電体キャパシタを備えた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285751
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110998
特許番号：特許第3655144号
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成された半導体素子と、 前記基板上に形成された全ての半導体素子を覆うSiON膜と、 前記SiON膜上に形成されたSiO2膜と、 前記SiO2膜上に形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成され、CaあるいはSrの少なくとも一方が添加されたPZTあるいはPLZTからなる強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 481
