特許
J-GLOBAL ID：200903018246233502

水素バリヤ層及び半導体装置

発明者：
奈倉 健

奈倉 健 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183284
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015696
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 膜中の水素が少なく、ストレスも小さく、かつ水分透過性の低い水素バリヤ層を提供する。【解決手段】 PZT膜からなる静電容量膜26及びIrO2 膜/Ir膜の積層金属膜からなる上部電極28を有するキャパシタ14を被覆して、水素がキャパシタ14に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層32が、プラズマCVD法で成膜した、膜厚600ÅのSiON膜である。また、水素バリヤ層32の上下には、O3 -TEOS膜からなる層間絶縁膜が成膜されている。
請求項（抜粋）：
水素との還元反応により性能の低下する、半導体装置の構成要素を被覆して、水素が構成素子又は構成要素に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層であって、プラズマCVD法で成膜したSiON膜であることを特徴とする水素バリヤ層。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 461 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 461 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (42件)：
4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC01 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD60 ,  5F083FR02 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA12
引用特許：
審査官引用 (8件)
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