窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132269
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323752
特許番号：特許第3777869号
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板の一方の面上に少なくともインジウムを含む活性層とp型クラッド層とp側電極とを順に積層させ、前記基板に接してn側電極を形成させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記基板と活性層との間に、半絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体からなり、前記基板との界面で前記基板に注入された電子を広げる中間層を前記基板に接するように有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：