特許
J-GLOBAL ID：200903031760628245
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112109
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 従来例に比較して発光出力が大きくかつ発光出力の温度依存性が小さい黄色又は琥珀色発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、InGaN井戸層からなる活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、活性層とn型窒化物半導体層との間にアンドープGaN層を形成し、かつ井戸層におけるInとGaの比率を発光色が黄色又は琥珀色になるように設定した。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、InGaN井戸層からなる活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、上記活性層と上記n型窒化物半導体層との間にアンドープ窒化物半導体層を形成し、かつ上記活性層におけるInとGaの比率を発光色が黄色又は琥珀色になるように設定したことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
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窒化物系半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-037990
出願人：株式会社東芝
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-257817
出願人：豊田合成株式会社
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発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-236845
出願人：住友化学工業株式会社
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引用文献：
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