半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323577
特許番号：特許第3387082号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に論理回路とインターフェースバッファ回路とが多数形成され、かつ低ノイズ耐性回路が前記半導体基板上に形成されている半導体集積回路であって、前記半導体基板の角部に、前記インターフェースバッファ回路および前記論理回路が存在せず前記半導体基板の辺部の一部を外側の境界とする領域を設け、同角領域に前記低ノイズ耐性回路を配置し、前記角領域の内側の境界部に、前記低ノイズ耐性回路と前記論理回路および前記インターフェースバッファ回路とを仕切る低不純物濃度領域を設け、該低不純物濃度領域が前記半導体基板の他の箇所より不純物濃度が低くなるように形成されている、ことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：