特許
J-GLOBAL ID：201103052257600894
半導体光集積素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314192
特許番号：特許第4696389号
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の領域に区分された基板の第1領域上に形成された第1半導体光素子と、前記第1領域に隣接する第2領域上に前記第1半導体光素子と光学的に接続されて形成された第2半導体光素子とを少なくとも有する半導体光集積素子の製造方法であって、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域を含む領域上に、前記第1半導体光素子を構成する第1層構造を成長する第1成長工程と、
第1マスクを前記第1領域の前記第1層構造上に形成し、前記第1マスクをエッチング阻止用マスクとして、エッチング後に生成される前記第1層構造の段差による前記第2領域に面する側壁が前記第1層構造の上面に対してなす側壁角度が90°より大きく110°以下となるように前記第1層構造の選択的なエッチング除去を行う第1エッチング工程と、
前記第1層構造がエッチング除去された領域上に、その最も前記基板側の層として前記基板の半導体材料に基づいて選択された所定の半導体材料からなる形状制御層を有し、前記側壁を介して前記第1層構造と光学的に接続される、前記第2半導体光素子を構成する第2層構造を成長する第2成長工程とを備え、
前記第2成長工程において、前記形状制御層は、前記基板上から前記第1層構造の前記側壁上まで、前記基板上での層の厚さが20nm以上150nm以下であるとともに、前記側壁上での層の前記側壁と反対側の面が前記第1層構造の前記上面に対してなす角度が略垂直となるように成長されることを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/026 ( 200 6.01)
, G02B 6/122 ( 200 6.01)
, G02B 6/13 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
H01S 5/026 610
, G02B 6/12 B
, G02B 6/12 M
, H01S 5/343
