特許
J-GLOBAL ID：201103052543675893
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-049348
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187551
出願日： 2010年03月05日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】半導体チップおよびベース板を含む半導体装置を、歩留まりを低下させることなく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ13が搭載された複数のベース板16を、所定の間隔で支持フィルム18に貼り付ける工程と、ベース板16および半導体チップ13を覆うように、支持フィルム18の下面に封止樹脂17を形成する工程と、封止樹脂17の下面に、半導体チップ13に電気的に接続されるように配線パターン15を形成する工程と、封止樹脂17の下面に、配線パターン15の一部が露出するようにソルダーレジスト膜14を形成する工程と、ソルダーレジスト膜14から露出した配線パターン15にBGAボール12を形成する工程と、封止樹脂17およびソルダーレジスト層14を切断する工程と、封止樹脂17に覆われたベース板16および半導体チップ13を、支持フィルム18から剥がす工程と、を具備する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
それぞれに半導体チップが搭載された複数のベース板を、所定の間隔で支持体に貼り付ける工程と、
前記複数のベース板および複数の前記半導体チップを覆うように、前記支持体の下面に封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の下面に、それぞれの前記半導体チップに電気的に接続されるように配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを含む前記封止樹脂の下面に、前記配線パターンの一部が露出するように配線保護膜を形成する工程と、
前記配線保護膜から露出した前記配線パターン接触するように外部電極を形成する工程と、
それぞれの前記ベース板の周囲およびその下方に形成された前記封止樹脂の少なくとも一部および前記配線保護膜を切断する工程と、
前記封止樹脂に覆われた前記半導体チップおよび前記ベース板を、前記支持体から剥がす工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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