特許
J-GLOBAL ID：201103052691661753

ハーフトーン位相シフトマスク

発明者：
田中 稔彦

田中 稔彦 について

, 
長谷川 昇雄

長谷川 昇雄 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 秋田 収喜 ,  作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278665
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082424
特許番号：特許第3739263号
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 マスク基体と、露光光を減光する膜であってかつ上記膜を透過する露光光の位相が上記膜の被着されていない開口部を通過する露光光の位相とは異なるように調製された無機膜(以下ハーフトーン膜という)が形成されており、上記ハーフトーン膜には所定の回路パターンと露光間の合わせを行うときの基準となるウェハ合わせマークが形成された半導体装置の露光に用いられるハーフトーン位相シフトマスクにおいて、上記回路パターン形成領域の外側にレジスト遮光帯パターンが形成され、上記ウェハ合わせマークがハーフトーンパターンで形成された合わせマーク上に積層されたレジストパターンで形成され、露光装置のステージおよび搬送系に接触する場所には上記レジストがないことを特徴としたハーフトーン位相シフトマスク。
IPC (4件)：
G03F 1/08 ( 200 6.01) ,  G03F 1/14 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 K ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 523
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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