特許
J-GLOBAL ID：201103053227599669

ガス処理方法

発明者：
大槻 林

大槻 林 について

, 
三浦 豊

三浦 豊 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026875
特許番号：特許第4401479号
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理ガスを供給する処理ガスラインと、処理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリアガスラインと、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを有し、前記処理ガスラインは、前記キャリアガスラインの直線部に合流するように設けられ、かつ、前記処理ガスラインは、前記キャリアガスラインとの合流点から離れた位置にバルブを有するガス処理装置を用いて基板に対してガス処理を行うガス処理方法であって、 前記キャリアガスとして分子量が30以下のものを用い、前記バルブを閉じて処理ガスの供給を停止した際に、前記キャリアガスラインに流れる前記キャリアガスにより前記処理ガスラインの前記バルブよりも下流側の部分からの残存ガスの流出を促進させることを特徴とするガス処理方法。
IPC (5件)：
C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  B01J 4/00 ( 200 6.01) ,  F17D 1/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C23C 16/455 ,  B01J 4/00 102 ,  F17D 1/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221886   出願人：山形日本電気株式会社
  • 堆積膜形成方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-056014   出願人：キヤノン株式会社
  • 特公平4-021751
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審査官引用 (3件)

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