トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028392
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228519
特許番号：特許第3924975号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一導電型ドリフト層の表面層に形成された第二導電型ウェル領域と、その第二導電型ウェル領域内に形成された第一導電型エミッタ領域と、第一導電型エミッタ領域から延在し第一導電型ドリフト層に達するトレンチと、そのトレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極と、第一導電型エミッタ領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触して設けられたエミッタ電極と、第一導電型ドリフト層の裏面側に形成された第二導電型コレクタ層と、その第二導電型コレクタ層の表面に設けられたコレクタ電極とを有するトレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記第二導電型ウェル領域が選択的に形成され、1つのエミッタ電極下における隣接するトレンチの間で第二導電型ウェル領域と第一導電型ドリフト層が表面に露出し、かつ隣接するトレンチの間で前記第二導電型ウェル領域と第一導電型エミッタ領域が各々島状であることを特徴とするトレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-251983
特開平4-251983
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-005057 出願人：株式会社東芝

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