特許
J-GLOBAL ID：201103054218704995
パワー系半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-003981
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146429
出願日： 2010年01月12日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】パワーMOSFET等のドリフト領域等に関して、スーパジャンクション構造を導入する方法として、トレンチフィル方式におけるPカラム領域埋め込み用トレンチの埋め込みエピタキシプロセスを種々検討したところ、エピタキシャル成長時の高熱長時間処理により、埋め込みエピタキシャル層外へ拡散してしまうという問題があることが明らかとなった。【解決手段】本願発明は、N型カラムとP型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記P型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
以下を含むパワー系半導体装置:
(a)第1の主面側のN型Si単結晶基板表面領域及び第2の主面側のSi単結晶基板裏面領域を有するシリコン単結晶基板;
(b)前記シリコン単結晶基板の前記第1の主面側から所定の深さに渡って前記N型シリコン単結晶基板内に、相互に平行になるように、前記第1の主面に沿って周期的に形成された板状形状を有する複数のP型シリコン系エピタキシャル領域、
ここで、前記複数のP型シリコン系エピタキシャル領域は、これらの間の前記N型Si単結晶基板表面領域とともに、スーパジャンクション構造を形成しており、
更に、前記複数のP型シリコン系エピタキシャル領域の各P型シリコン系エピタキシャル領域は、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/06
, H01L 21/205
H01L29/78 652H
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652S
, H01L29/06 301D
, H01L21/205
5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AC13
, 5F045AC19
, 5F045AF03
, 5F045BB05
, 5F045CA05
, 5F045GH09
, 5F045HA15
