特許
J-GLOBAL ID：200903070049539251
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224629
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042819
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】半導体基板にトレンチを形成した後、当該トレンチを埋め込んで製造する半導体装置の製造方法であって、大きなアスペクト比のトレンチであってもボイドや合わせ面が発生しないトレンチの埋め込みが可能で、特にPNコラム層を有する半導体装置の製造に好適な製造方法を提供する。【解決手段】シリコン(Si)源ガス3を用いたプラズマCVDにより、トレンチ1t内にシリコン(Si)からなるエピタキシャル層1eを成長させて、トレンチ1tを埋め込む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)からなる半導体基板にトレンチを形成した後、当該トレンチを埋め込んで製造する半導体装置の製造方法であって、
シリコン(Si)源ガスを用いたプラズマCVDにより、トレンチ内にシリコン(Si)からなるエピタキシャル層を成長させて、トレンチを埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/205
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
5F045AA08
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AD04
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AF03
, 5F045AF12
, 5F045BB12
, 5F045BB17
, 5F045EE17
, 5F045EH19
, 5F045HA01
, 5F045HA16
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (8件)
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