特許
J-GLOBAL ID：201103054322835058

集積回路の製造方法

発明者：
西山 明

西山 明 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-210699
特許番号：特許第3525110号
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年07月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン基板上に配線層が形成された集積回路を製造する集積回路の製造方法であって、前記シリコン基板の裏面にSi3N4底層を形成するとともに、前記シリコン基板の主面に第1Si3N4層、ヒートワイヤとしてのPt層をこの順序で形成する工程と、前記Pt層の表面の一部が露呈するように前記第1Si3N4層および前記Pt層上に亘って第2Si3N4層を形成した後、前記Pt層における露呈した部位および前記第2Si3N4層上に第1Cr層を設ける工程と、前記第1Cr層上に前記配線層を形成する工程と、前記配線層を保護膜としての第2Cr層で被覆する工程と、前記シリコン基板をエッチング液で選択的にエッチングする工程と、前記第2Cr膜を除去して前記配線層の表面を露呈する工程と、を有することを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84
FI (5件)：
B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 21/306 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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