特許
J-GLOBAL ID:201103054465395393
ゼロ電圧/ゼロ電流ヒューズ構成
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-058182
公開番号(公開出願番号):特開2000-057933
特許番号:特許第3422712号
出願日: 1999年03月05日
公開日(公表日): 2000年02月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】集積回路内で使用するためのゼロ電圧/ゼロ電流ヒューズ構成であって、第一および第二のインバータと、前記第一のインバータの出力に結合する第一端子と前記第二のインバータの入力に結合する第二端子を有するヒューズと、第一入力が論理入力に接続され、第二入力が前記ヒューズの第二端子に接続され、出力が前記第一インバータの入力に接続されているNOR回路と、一方の通電電極が前記ヒューズの第二端子に接続され、他方の通電電極が基準電位に接続されているNFETと、第一入力が前記論理入力に接続され、第二入力が前記第二インバータの出力に接続され、出力が前記NFETのゲート電極に接続されたOR回路とを含むヒューズ構成。
IPC (3件):
H01H 85/00
, H01L 21/82
, H02H 7/20
FI (3件):
H01H 85/00 T
, H02H 7/20 F
, H01L 21/82 F
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平2-054565
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-168144
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体メモリ装置およびその冗長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-307539
出願人:三星電子株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-181957
出願人:株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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