特許
J-GLOBAL ID：201103054506348532
水素製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
加茂 裕邦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061679
公開番号（公開出願番号）：特開2011-195352
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】改質触媒一体化モジュールにおいて、より抵抗の大きい改質触媒兼支持体内の流路を短くしてガス圧損を低減し、エネルギー損失を抑えた水素製造装置を得る。【解決手段】原料ガスの流路およびオフガスの流路となる中空部を持つ内挿管と、前記内挿管の外周に改質触媒兼支持体を配置するとともに、前記改質触媒兼支持体の外周面に水素分離膜を配置し、内挿管の内腔の横断面中心部に当該内腔を長手方向に仕切る仕切壁を設けて長手方向の二つの中空部を構成するとともに、各中空部の仕切壁と相対する側の一方の前記内挿管の長手方向に原料ガス噴出孔を設けるとともに、他方の前記内挿管の長手方向にオフガス流出孔を設ける等の構成を有する水素製造装置。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
原料ガスの流路およびオフガスの流路となる中空部を持つ内挿管と、前記内挿管の外周に改質触媒兼支持体を配置するとともに、前記改質触媒兼支持体の外周面に水素分離膜を配置してなり、
(a)前記内挿管の内腔の横断面中心部に当該内腔を長手方向に仕切る仕切壁を設けて長手方向の二つの中空部を構成するとともに、
(b)各中空部の仕切壁と相対する側の一方の前記内挿管の長手方向に原料ガス噴出孔を設けるとともに、他方の前記内挿管の長手方向にオフガス流出孔を設け、
(c)原料ガスを前記内挿管の仕切壁で長手方向に仕切られた一方の中空部に通し、原料ガス噴出孔を介して前記改質触媒兼支持体に流入させ、その横断面に沿って折り返しながら改質触媒による改質反応により水素を生成し、生成改質ガス中の水素を水素分離膜により選択的に分離して高純度水素を製造し、
(d)生成改質ガス中の水素以外の成分はオフガス流出孔から前記他方の中空部であるオフガス排出管を介して排出させるようにしてなることを特徴とする水素製造装置。
IPC (5件)：
C01B 3/38
, C01B 3/56
, B01D 53/22
, B01D 69/04
, B01D 69/10
C01B3/38
, C01B3/56 Z
, B01D53/22
, B01D69/04
, B01D69/10
4D006GA41
, 4D006HA22
, 4D006JA05A
, 4D006JA05C
, 4D006JA14A
, 4D006JA18A
, 4D006JA29A
, 4D006JA56A
, 4D006JB01
, 4D006KA01
, 4D006KB30
, 4D006MA02
, 4D006MA09
, 4D006MA31
, 4D006MB03
, 4D006MB04
, 4D006MC02X
, 4D006MC90
, 4D006NA31
, 4D006PA04
, 4D006PB66
, 4D006PC80
, 4G140EA03
, 4G140EA06
, 4G140EB04
, 4G140EB19
, 4G140EB24
, 4G140EB37
, 4G140EB46
, 4G140EC08
, 4G140FA02
, 4G140FB09
, 4G140FC01
, 4G140FE01
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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