特許
J-GLOBAL ID：201103054687215385

半導体装置

発明者：
山口 美穂

山口 美穂 について

, 
山本 裕子

山本 裕子 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091476
特許番号：特許第4121674号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記の樹脂組成物(a)および樹脂組成物(b)の混合物からなる樹脂硬化体で半導体素子が封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の樹脂硬化体の状態変移点であるガラス転移点に対応する二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上であることを特徴とする半導体装置。 (a)その硬化体のガラス転移点(Tg)が170〜250°Cである、下記のエポキシ樹脂成分(a1)、フェノール樹脂成分(a2)および下記の(X)成分を含有する樹脂組成物。 (a1)下記の一般式(2)で表されるエポキシ樹脂、一般式(3)で表されるエポキシ樹脂、一般式(4)で表されるエポキシ樹脂および一般式(5)で表されるエポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのエポキシ樹脂。 (a2)フェノールノボラック樹脂,クレゾールノボラック樹脂およびナフトールノボラック樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのフェノール樹脂。 (b)その硬化体のガラス転移点(Tg)が100〜140°Cである、下記のエポキシ樹脂成分(b1)、フェノール樹脂成分(b2)および下記の(X)成分を含有する樹脂組成物。 (b1)下記の一般式(7)で表されるエポキシ樹脂、一般式(8)で表されるエポキシ樹脂および一般式(9)で表されるエポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのエポキシ樹脂。 (b2)下記の一般式(10)で表されるフェノール樹脂、一般式(11)で表されるフェノール樹脂および一般式(12)で表されるフェノール樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのフェノール樹脂。 (X)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。 〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕
IPC (4件)：
H01L 23/29 ( 200 6.01) ,  H01L 23/31 ( 200 6.01) ,  C08L 101/00 ( 200 6.01) ,  C08K 3/22 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 23/30 R ,  C08L 101/00 ,  C08K 3/22
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM